近日，拓荆科技（688072.SH）披露了投资者关系活动记录表。在接待投资者调研时，拓荆科技表示，基于公司产品在客户端的验证和应用表现，以及目前公司初步预判的下游客户的需求情况，公司对2024年全年新签订单及营业收入的趋势保持乐观的态度。
拓荆科技成立于2010年，于2022年4月20日在上交所科创板上市，并于2023年入选“科创50”指数成分股，是国内量产型PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体增强化学气相沉积）、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜沉积设备和混合键合设备的领军企业。
目前，拓荆科技已形成半导体薄膜沉积设备和混合键合设备两个产品系列。其中，主打产品PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，逐步扩大量产规模；在ALD设备方面，公司PE-ALD SiO2、SiN等薄膜均已实现产业化应用，并逐步扩大量产规模，Thermal-ALD设备已实现产业化应用，并持续获得订单，同时有多种不同薄膜工艺应用在不同客户端验证；沟槽填充设备SACVD和HDPCVD已实现批量出货，持续扩大量产规模；新推出的超高深宽比沟槽填充CVD设备已实现产业化应用。目前，拓荆科技沟槽填充系列新产品可以满足不同芯片技术节点对不同沟槽填充的技术需求。截至目前，拓荆科技的薄膜沉积设备能支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
在混合键合设备方面，拓荆科技晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合表面预处理设备持续优化升级，拓展了市场应用。此外，拓荆科技自主研发了键合套准精度量测产品已获得客户订单，并积极地推进芯片对晶圆混合键合设备的研发。
今年上半年，拓荆科技设备反应腔出货超过430个，出货金额达到32.49亿元，同比增长146.5%，其中，新产品占比超过50%，为后续的收入增长奠定良好基础。截至2024年6月末，拓荆科技累计出货超过1940个反应腔，预计2024年全年出货超过1000个反应腔，将创历史新高。
截至2024年第二季度末，拓荆科技发出商品余额31.62亿元，较2023年末发出商品余额19.34亿元增长63.50%，为后续的收入增长奠定良好基础。目前，拓荆科技的在手订单充足，未来业绩增长具备坚实的基础。
研发是公司发展的基石，拓荆科技表示，会持续进行高强度的研发投入，不断拓展新产品、新工艺，并按照每个客户需求进行产品迭代升级，进而促进公司的稳定发展，预计2024年研发投入占据营业收入的比例将保持在20%以上。
2024年上半年，拓荆科学技术研发投入金额达到3.14亿元，同比增加50%，研发投入占据营业收入比例高达24.81%，多年来的研发投入占据营业收入的比例均在20%以上。截至2024年半年度末，拓荆科学技术研发人员数量达到506人，同比增加102人，研发人员数量占拓荆科技总人数的比例为40.38%。
未来，拓荆科技将继续不断加大研发力度，拓展新产品、新工艺，完善产业布局，推进拓荆科技的高水平质量的发展，为股东创造长期可持续的价值。