带着公司最新的PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、Bonding（晶圆对晶圆混合键合）和ALD（原子层沉积）设备模型亮相无锡第十二届设备与核心部件展示会。凭借产品的多样性、对技术的深刻理解和展厅的优雅设计，
而十多年前，董事长吕光泉和他的创业伙伴们谁都没想过如今的高光时刻，甚至多次打过“退堂鼓”。梦想引领奋斗征程，坚持迸发出力量，凭借长期资金市场的助力，拓荆科技如今已成长为国内薄膜沉积设备和混合键合设备领域的领军者。
说到芯片生产，人们常常会想到光刻机。但是，有一种设备和光刻机同样重要，那就是薄膜沉积设备，而拓荆科技就是该领域的佼佼者。凭借PECVD、ALD等一系列先进的薄膜沉积设备，拓荆科技成为国内该领域的领头羊，也引领着行业的发展方向。
吕光泉介绍，目前拓荆科技的PECVD、次常压化学气相沉积（SACVD）、高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）设备工艺种类已实现全方面覆盖，ALD、混合键合等设备产品陆续通过客户验证，进入客户量产线，并逐步扩大量产规模。
截至2023年末，拓荆科技累计出货超过1500个反应腔，进入60多条生产线个反应腔，创历史新高。
“从目前国内生产线的技术节点来看，上述设备基本实现了介质薄膜的全覆盖，在客户端应用广泛。公司后续要跟客户更加紧密合作，往更先进的技术推进。”吕光泉和记者说，拓荆科技的薄膜沉积设备能支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的100多种工艺应用。
随着近年来核心技术突破，拓荆科技持续推进各系列产品的迭代升级与产业化应用，商品市场竞争力持续增强，经营业绩保持较高速度增长。2023年度，拓荆科技营业收入达到27.05亿元，同比增长59%，2018年至2023年复合增长率达到107%。
作为如今的芯片设备领军企业，拓荆科技也曾遭遇艰难时刻，吕光泉带领团队，用坚持的力量将梦想实现。
“拓荆创立的时候，国内高端设备的发展刚刚起步，无论是找资本，还是送设备给客户验证，都十分艰难。”吕光泉表示，创始团队曾经多次打过“退堂鼓”。但是，怀着芯片产业创新之梦，吕光泉和他的“战友们”又一次次走到一起。“好在又把团队收了回来，才有了今天的成就。其实我想说：贵在坚持，坚持就是胜利。”吕光泉表示。
真正有梦想的人总会迎来曙光。团队的努力让公司获得了国家“十一五”02重大专项的支持，也获得了来自国家和地方给予的大力帮助，这让拓荆科技能够从0走到1。
“当时几乎就是从0起步，在创始团队带领下引进行业资深专家、培养国内技术团队，组建了一支专业的开发团队。”吕光泉表示，在团队的共同努力下，公司不断攻克关键技术，逐步形成了PECVD等薄膜系列产品。
而此后的发展，长期资金市场在其中发挥了重大作用。吕光泉表示，在产品和市场拓展初有成果后，公司先后得到了当地产业基金、国家大基金、国投创业等基金的加持，在公司发展关键期提供了资金支持。
科创板更让拓荆科技插上了腾飞的翅膀。公司于2022年4月登陆科创板，募集资金22亿元，为公司的持续高水平质量的发展提供了有力的资金支持。公司有效合理使用募集资金，将募资投入公司的扩产建设及产品研制，包括沈阳总部二期洁净厂房建设、上海临港研发及产业基地的建设和公司设备研发等项目，极大提升了公司的产能及研发能力，助力公司稳健发展。
乘着长期资金市场的东风，拓荆科技积极拓宽创新赛道，应用于Chiplet等领域的混合键合设备成为公司关注重点。
Chiplet即“芯粒”，是一个或多个芯片的小型集合，可以独立制造、独立设计，并且在集结后能形成一个更强大的芯片，就像搭建乐高积木一样。吕光泉透露，拓荆科技在这样的领域已发力四五年，2023年公司相关的混合键合设备正式推入客户端，并通过客户验证实现量产。
吕光泉认为，Chiplet在未来三五年甚至十年里，都有着非常大的市场容量。拓荆科技对此块业务发展充满信心，因为公司从Bonding技术开始就走在最前列，同国际水平基本上没有差距，甚至在很多指标上领先于国际供应商。
拓荆科技董事会秘书赵曦表示：“在混合键合设备方面，拓荆科技持续优化升级晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合表面预处理设备，拓展了市场应用。此外，拓荆科技自主研发的键合套准精度量测产品已获得客户订单，并积极地推进芯片对晶圆混合键合设备的研发。”
创新的领先离不开在技术和人才上的持续投入。2024年上半年，拓荆科学技术研发投入金额达3.14亿元，同比增加50%，研发投入占据营业收入比例达24.81%，多年来的研发投入占据营业收入的比例均在20%以上。截至2024年上半年末，拓荆科学技术研发人员数量达506人，同比增加102人，研发人员数量占拓荆科技总人数的比例为40.38%。